db电竞官网入口半导体推出半要害洗濯系列装备 拓宽Ultra C产品链
2020-3-12 17:13:42
作为集成电路制造与先进晶圆级封装(WLP)领域中的卓越装备供应商，，，，，db电竞官网入口半导体装备（NASDAQ:ACMR）克日宣布了三款用于晶圆正、背面洗濯工艺的Ultra C湿法洗濯系列装备。 。。 。 。。
这一系列装备包括晶圆背面洗濯装备Ultra C b，，，，，自动槽式湿法洗濯装备Ultra C wb，，，，，和刷洗装备Ultra C s，，，，，它们将db电竞官网入口立异的湿法工艺手艺扩展到了更普遍的应用领域。 。。 。 。。
“我们中国的客户要求db电竞官网入口除了提供应用于要害工艺办法中前沿的主打产品之外，，，，，也为他们提供其他的非前沿装备，，，，，我们称之为 “半要害装备”。 。。 。 。。这套装备可以提供高质量的工艺，，，，，以支持客户生产链中要求不那么高，，，，，但仍然相当主要的办法，，，，，”db电竞官网入口半导体装备董事长王晖体现。 。。 。 。。“我们开发的Ultra C系列产品知足了这一要求，，，，，扩展了产品链实现一站式服务，，，，，同时也为客户提供了更有竞争力的产品。 。。 。 。。”
这三款Ultra C系列新产品的目的市场是先进集成电路领域，，，，，功率器件领域和先进晶圆级封装（WLP）领域。 。。 。 。。晶圆背面洗濯Ultra C b和槽式湿法洗濯Ultra C wb装备现已在中国先进半导体厂的量产中证实晰它们的优势。 。。 。 。。公司首台刷洗装备Ultra C s也已在2020年第一季度交付中国客户，，，，，在验收及格后即可确认收入。 。。 。 。。
晶圆背面洗濯装备
Ultra C b
举行晶圆背面洗濯时，，，，，使用古板的夹具有可能对晶圆正面会带来损伤，，，，，该装备的晶圆夹具与古板的夹持方法差别，，，，，它使用了伯努利效应，，，，，使晶圆悬浮于晶圆夹具上，，，，，而晶圆正面与夹具间无物理接触。 。。 。 。。当洗濯化学药液喷淋到晶圆背面举行工艺的时间，，，，，晶圆带器件的一面就会由夹具喷出的氮气(N2)对其举行保唬唬�；；；；�。 。。 。 。。
该伯努利晶圆夹具接纳了db电竞官网入口的专利手艺，，，，，可通过控制晶圆和晶圆夹具之间逍遥的间距，，，，，来控制刻蚀后晶圆边沿的侧向刻蚀宽度，，，，，同时知足刻蚀后晶圆边沿无夹具痕迹的要求。 。。 。 。。该装备可凭证需要设置实现高产能，，，，，以匹配短工艺时间的应用，，，，，产能可达300片以上。 。。 。 。。也可选配先进的无接触型机械手臂以实现超薄晶圆的传输。 。。 。 。。
自动槽式洗濯装备
Ultra C wb
自动槽式洗濯装备Ultra C wb，，，，，依托db电竞官网入口研发的槽式与单片洗濯集成装备Ultra C Tahoe的先进槽式手艺基础而开发，，，，，可以举行多达50片晶圆的批量洗濯。 。。 。 。。自动槽式洗濯装备的要害应用为炉管前洗濯，，，，，RCA洗濯，，，，，光阻去除，，，，，氧化层刻蚀，，，，，氮化硅去除，，，，，以及晶圆接纳工艺中前段FEOL多晶硅/氧化硅层剥离去除，，，，，和后段BEOL金属层剥离去除。 。。 。 。。该装备可针对差别的应用设置差别的化学药液槽，，，，，如硫酸，，，，，磷酸，，，，，氢氟酸(HF)，，，，，缓冲氧化物刻蚀液(BOE)，，，，， SC1和SC2等化学药液槽。 。。 。 。。晶圆依次在化学药液槽中浸泡，，，，，经去离子水(DI)冲洗，，，，，最后在ATOMO干燥模浚�？？？橹幸云囊毂�(IPA)举行干燥，，，，，干燥后无水痕。 。。 。 。。该装备的模浚�？？？榛杓坪徒闲〉恼嫉孛婊�，，，使其可无邪设置。 。。 。 。。槽式洗濯装备Ultra C wb可高效地接纳使用化学药水，，，，，节能减排。 。。 。 。。该装备可运用于200毫米或者300毫米的晶圆洗濯应用。 。。 。 。。
刷洗装备
Ultra C s
新型刷洗装备Ultra C s以db电竞官网入口在晶圆级封装领域（WLP）已验证乐成的刷洗手艺为基�。 。。 。 。。�，，，延伸应用于集成电路制造领域。 。。 。 。。其配备的软刷可以接纳精准的压力控制以洗濯晶圆边沿及背面的颗粒。 。。 。 。。该装备配有先进的二流体（气体和液体）喷淋洗濯手艺，，，，，还可选配db电竞官网入口自己研发的空间交变相位移（SAPS™）兆声波手艺以知足客户更高的需求——更强劲的小颗粒去除能力。 。。 。 。。模浚�？？？榛低晨缮柚�8个腔体，，，，，用于集成电路制造领域300毫米的晶圆洗濯，，，，，其中四个腔体用于正面洗濯工艺，，，，，四个腔体用于背面洗濯工艺。 。。 。 。。该刷洗装备性价比高，，，，，无邪性强、占地面积小、产能高。 。。 。 。。
